IPW60R037CSFD一级代理进口原装正品、尽在-深圳市宇集芯电子有限公司
IPW60R037CSFD CoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低栅电荷（Qg）和改进的开关行为，它在目标市场提供了最高的效率。除此之外，它还配备了集成的快体二极管，大大减少了反向恢复电荷（Qrr），从而使谐振拓扑具有最高的可靠性。由于这些特点，IPW60R037CSFD符合非车载电动汽车充电站市场的效率和可靠性标准，并进一步支持高功率密度解决方案。
特征描述
超快体二极管
1流的反向恢复费用（Qrr）
改进的反向二极管dv/dt和dif/dt耐用性
最低FOM RDS（开）x Qg和Eoss
1流的RDS（on）/软件包组合
优势
电动汽车充电应用的最佳效率
实现更高的功率密度
最高可靠性水平
可以选择正确的RDS（on）包组合
潜在应用
电动汽车充电-优化相移全桥（ZVS），LLC和PFC应用。适用于软、硬交换拓扑。
Parametrics IPW60R037CSFD
ID (@25°C) max 25.0 A
ID max 25.0 A
IDpuls max 236.0 A
Mounting THT
Operating Temperature min max -55.0 °C 150.0 °C
Ptot max 245.0 W
Package TO-247
Pin Count 3.0 Pins
Polarity N
QG 136.0 nC
QG (typ @10V) 136.0 nC
RDS (on) max 37.0 m?
RDS (on) (@10V) max 37.0 m?
VDS max 600.0 V
VGS(th) min max 3.5 V 4.5 V
